GlobalFoundries(GF，格芯)近日宣布，已經收購瑞薩電子公司(Renesas)的專利和經過生產驗證的導電橋接隨機存取存儲器 (conductive- bridging RAM，CBRAM) 技術，這是一種低功耗的存儲器解決方案，旨在實現家庭和工業物聯網以及智能移動設備的一系列應用。
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　　這項交易進一步加強 GF 的存儲器產品組合，并通過增加另一種可靠的、可定制的、相對容易集成到其他技術節點的嵌入式存儲器解決方案，擴展其嵌入式非易失性存儲器(NVM)解決方案的路線圖。具體而言，這項技術將使客戶能夠進一步區分其 SoC 設計，并推動新一代安全和智能設備的發展。

　　格芯表示，“致力于使我們技術組合差異化，成為客戶今天和未來幾十年的節能物聯網應用的基礎。通過收購這項創新的存儲技術，GF 現在在加速開發 NVM 解決方案方面發揮著至關重要的作用，這將使我們的客戶能夠設計出下一代的智能和互聯設備。CBRAM 技術釋放了性能和超低能耗的新范式，使從可穿戴設備到智能手機的各種應用，在特定的使用情況下，將電池充電的間隔時間從幾小時延長到幾周甚至幾年。”

　　CBRAM 的低功耗、高讀 / 寫速度、降低制造成本和對惡劣環境的耐受性，使其特別適用于消費、醫療和特定工業應用。2020 年，格芯 GF 與 Dialog 半導體公司(該公司于 2021 年被瑞薩公司收購)達成了一項許可協議，將其 CBRAM 技術作為一種嵌入式、NVM 選項?，F在，CBRAM 正在該公司的 22FDX 平臺上得到認證，并計劃將其擴展到其他平臺。
　　文章來源：http://www.codekj.com/html/news/xwdt/2023_02/11/3022038.html

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